碳纖維增強碳化硅(C／SiC)陶瓷基復合材料(CMC)，實現了碳化硅陶瓷基體代替碳基體，因其具有良好的抗氧化性、高溫抗熱震性、導熱性以及與碳纖維良好的相容性，己成為航空、航天領域極具發展前景的新一代高溫熱結構材料。目前已有不同制備C／SiC陶瓷基復合材料的方法，如熱壓法( HP)、化學氣相滲透法（ CVI）、液態滲硅法(LSI)、先驅體轉化法(PIP)等。其中多數方法不能實現陶瓷基復合材料應用的低成本要求。采用液態滲硅法（ LSI)技術，是一種成本低廉、具有三階段簡單工藝特點的制備方法。該工藝開始于碳纖維增強聚合物(CFRP)坯體制備，其后是高溫碳化得到孔隙結構的碳／碳復合材料。最后液態滲硅得到C／G SiC復合材料。其優點是避免了重復浸滲，從而縮短了工藝時間：采用無需任何涂層的纖維預制體減少了原材料成本；另外，可在近尺寸技術下制備CMC構件，最大程度地降低機加工難度。

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